Президент и глава подразделения памяти Samsung Electronics Юнг-Бэ Ли (Jung-Bae Lee) сообщил в своём блоге, что в начале 2024 года компания начнёт массовое производство памяти 3D NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями. Это позволяет ожидать появления до конца 2024 года новых и более ёмких SSD Samsung, плотность записи у которых будет оставаться самой высокой в отрасли.
Источник изображения: Samsung
Интересно отметить, что первой о намерении преодолеть рубеж в 300 слоёв в составе памяти 3D NAND сообщила компания SK Hynix. В августе этого года на мероприятии Flash Memory Summit (FMS) 2023 она показала образец 321-слойной 3D NAND. Компания Samsung не раскрывает детали о своей разработке, но обещает, что это будет самая многослойная память в индустрии. Она даже может быть с меньшим чему у SK Hynix количеством слоёв, ведь свою передовую память конкурент Samsung начнёт выпускать лишь к середине 2025 года.
Ещё одним различием 300-слойной памяти Samsung и SK Hynix станет их компоновка. Если SK Hynix намерена выпускать 321-слойные чипы в виде стека из трёх установленных друг на друга блоков, то Samsung обещает запустить в производство двухстековые структуры. Каждый из блоков изготавливается на кремниевой подложке в собственном цикле и после порезки из них монтируются готовые чипы в виде стековых конструкций. Очевидно, что двухстековые структуры Samsung будут проще, надёжнее и, возможно, дешевле трёхстековых структур SK Hynix. Но есть нюанс: в каждом блоке памяти Samsung будет больше слоёв, что делает их сложнее и дороже в изготовлении.
Также глава подразделения памяти Samsung сообщил, что специалисты компании работают над повышением производительности будущей памяти, а не только над увеличением её ёмкости. Прогресс не стоит на месте, и в совокупности с новым интерфейсом PCIe 5.0 мы можем достаточно скоро увидеть в продаже более совершенные SSD Samsung.
