С сентября прошлого года американские санкции ограничивают поставку в Китай не только готовых компонентов типа тех же ускорителей вычислений, но и оборудования для производства передовых чипов. Китайские компании просто вынуждены искать возможности для локального выпуска многих полупроводниковых компонентов. Среди них числится и высокоскоростная память для ускорителей вычислений, которая сейчас исключительно импортируется.
Источник изображения: CXMT
Для китайской полупроводниковой отрасли, как поясняет South China Morning Post, текущая ситуация на рынке не очень благоприятна. Основную часть микросхем памяти типа HBM, которая устанавливается на ускорители вычислений, по всему миру поставляют две южнокорейские компании SK hynix и Samsung Electronics. Некоторую часть памяти этого типа производит американская Micron Technology, которая в мае попала под санкции китайских властей, а потому операторы критически важной национальной инфраструктуры КНР теперь не имеют права использовать память Micron на своих объектах.
По данным осведомлённых источников, китайские компании изучают возможность самостоятельного выпуска памяти, по своим свойствам приближённой к HBM. Главным кандидатом на обеспечение технологического суверенитета КНР в этой сфере является китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), считающаяся ведущим национальным производителем микросхем DRAM. По оценкам участников рынка, ей может потребоваться не менее четырёх лет, чтобы освоить выпуск памяти типа HBM или её аналогов для нужд китайского сектора систем искусственного интеллекта.
Ограничения в сфере литографии, которые распространяются и на китайских производителей памяти, не слишком препятствуют выпуску HBM силами той же CXMT, но в Китае необходимо найти компанию, способную заниматься тестированием и упаковкой многоярусных чипов, к которым как раз и относится HBM всех поколений. Источники утверждают, что на роль такого технологического партнёра CXMT лучше всего годится местная компания Jiangsu Changjiang Electronics Technology. Самой CXMT сейчас доступны 17- и 19-нм техпроцессы, чего вполне достаточно для удовлетворения текущих потребностей китайской промышленности в микросхемах оперативной памяти.
