В отличие от крупнейших производителей полупроводниковой продукции, таких как Intel и TSMC, компания Micron не спешит развёртывать оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) для производства DRAM. Но уже в этом году Micron намеревается запустить опытное производство с использованием EUV на своём техпроцессе 1γ (1-gamma) класса 10 нм, передаёт Technews.
Источник изображения: micron.com
Сейчас вся серийная продукция компании выпускается с использованием DUV-литографии, то есть на основе глубокого ультрафиолета. Но уже до конца года Micron запустит опытное производство на EUV-оборудовании, а в 2025 году оно может стать полномасштабным. Корейская Samsung ещё в 2020 году доложила, что успешно отгрузила миллион первых в отрасли модулей DDR4 класса 10 нм (D1x), произведённых на EUV-оборудовании. SK hynix стала применять такую литографию в 2021 году для выпуска чипов DDR класса 10 нм; и уже в этом году она намеревается потратить на закупку этого оборудования $1,5 млрд.
Ранее гендиректор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил инвесторам, что подготовка опытного производства на основе техпроцесса 1γ класса 10 нм продвигается успешно, а запуск массового выпуска продукции нового поколения запланирован на 2025 год. Технология выпуска памяти DRAM с использованием 1γ разрабатывается на заводе компании в японской Хиросиме — предприятие станет первой площадкой для опытного производства.
Чтобы удовлетворить спровоцированный бумом технологий искусственного интеллекта высокий спрос на высокопроизводительные чипы памяти Micron строит пилотную производственную линию для выпуска HBM в США и рассматривает возможность запуска второй линии в Малайзии.
