full screen background image

Samsung в пролёте: все заказы на производство 3-нм чипов Snapdragon 8 Gen 4 получила TSMC

Политика американской корпорации Qualcomm подразумевает использование услуг как можно большего количества контрактных производителей чипов, поэтому свои 3-нм мобильные процессоры Snapdragon 8 Gen 4 она рассчитывала получать как от TSMC, так и от Samsung. Впрочем, на практике пришлось временно отказаться от услуг последней, а потому выпускать 3-нм чипы для Qualcomm пока будет только TSMC.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом со ссылкой на издание TechNews сообщает TrendForce. По данным источника, к использованию услуг двух подрядчиков в сфере производства 3-нм чипов Qualcomm рассчитывает приступить не ранее 2025 года, а пока будет всецело полагаться на техпроцесс N3E тайваньской компании TSMC. В следующем году Samsung Electronics уже рассчитывает внедрить второе поколение 3-нм техпроцесса (3GAP или SF3) в массовом производстве, но запланированные темпы экспансии оказались ниже требуемых Qualcomm, а потому сотрудничество между компаниями в этой сфере не состоялось. В рамках второго поколения 3-нм технологии Samsung будет использовать ещё более сложную структуру транзисторов MBCFET, поэтому сложности с миграцией не исключены.

Первое поколение 3-нм техпроцесса (SF3E) с использованием структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA) было освоено Samsung в массовом производстве ещё в июне 2022 года, но большого количества сторонних клиентов привлечь не позволило. Как сообщается, у второго поколения 3-нм техпроцесса Samsung на данном этапе тоже наблюдаются проблемы с уровнем выхода годной продукции, поэтому в совокупности с ограниченностью производственных мощностей это не позволило южнокорейскому подрядчику получить заказы Qualcomm.

TSMC проблем с темпами экспансии выпуска 3-нм продукции не испытывает, к концу 2024 года она собирается ежемесячно обрабатывать по 100 000 кремниевых пластин с этим видом изделий, а долю 3-нм техпроцесса в совокупной выручке удвоить с нынешних 5 до 10 %.

Источник