Южнокорейская компания SK hynix, как отмечает издание Business Korea со ссылкой на отраслевые источники, собирается в следующем году опубликовать результаты своих разработок по интеграции микросхем памяти методом «2,5D Fan-out». Он подразумевает соединение двух чипов встык и до этого при производстве микросхем памяти не применялся.
Источник изображения: SK hynix
Этот новый метод предлагает располагать два чипа DRAM рядом друг с другом горизонтально, а затем объединять их, как если бы они были одним чипом. Характерной особенностью является то, что готовая микросхема получается тоньше, так как под чипы не добавляется подложка.
По информации источника, TSMC с 2016 года подобную компоновку использует для интеграции разнородных чипов, и она нашла применение при выпуске процессоров для компании Apple, но производители памяти к данной технологии внимания до сих пор не проявляли. Как известно, вертикальная интеграция микросхем памяти типа HBM позволяет значительно увеличить пропускную способность интерфейса, но это весьма дорогой метод, а так называемый «2,5D Fan-out» мог бы стать разумной альтернативой при производстве других микросхем типа DRAM. Предполагается, что SK hynix такой метод интеграции применит при выпуске памяти типа GDDR для графических процессоров игрового уровня.
Как известно, AMD в своё время экспериментировала с применением памяти типа HBM первого поколения в потребительских графических решениях, но идея не получила развития из-за ограниченной экономической целесообразности. Возможно, если SK hynix в использовании альтернативной компоновки 2,5D продвинется дальше конкурентов, она сможет получить определённые преимущества в формировании контрактов с NVIDIA и AMD при выпуске компонентов для игровых видеокарт следующих поколений. Впрочем, поскольку в следующем году будут представлены только результаты исследований в этой сфере, на скорое внедрение данного типа компоновки в серийном производстве памяти рассчитывать не приходится.
